0 0 0
  7. LM25101AMR/NOPB

Драйвери MOSFET/IGBT LM25101AMR/NOPB

 
LM25101AMR/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 381575
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
332.91 грн
5+
233.59 грн
12+
220.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 21 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8-EP(1628288)
Напруга живлення
9...14В DC(1493013)
Вихідний струм
-3...3А(1711653)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
430нс(1802869)
Час спадання імпульсу
260нс(1802870)
Кількість каналів
2(1443907)
Вид упаковки
туба(1443467)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів(1617856)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559)
клас напруги
80В(1742548)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,07 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT LM25101AMR/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 381575
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
332.91 грн
5+
233.59 грн
12+
220.88 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 21 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8-EP
Напруга живлення
9...14В DC
Вихідний струм
-3...3А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
430нс
Час спадання імпульсу
260нс
Кількість каналів
2
Вид упаковки
туба
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів
Топологія
півмісток MOSFET
клас напруги
80В
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,07 g