Драйвери MOSFET/IGBT LM25101AMX/NOPB

 
LM25101AMX/NOPB
 
Артикул: 856007
IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -3÷3А; 120÷450мВ; Ch: 2; 9÷14ВDC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
270.13 грн
5+
243.04 грн
6+
193.63 грн
14+
182.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
9...14В DC(1493013)
Вихідна напруга
120...450мВ(1993051)
Вихідний струм
-3...3А(1711653)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
430нс(1802869)
Час спадання імпульсу
260нс(1802870)
Кількість каналів
2(1443907)
Властивості інтегральних мікросхем
integrated bootstrap functionality(1619534) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів MOSFET(1623576)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT LM25101AMX/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 856007
IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -3÷3А; 120÷450мВ; Ch: 2; 9÷14ВDC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
270.13 грн
5+
243.04 грн
6+
193.63 грн
14+
182.48 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
9...14В DC
Вихідна напруга
120...450мВ
Вихідний струм
-3...3А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
430нс
Час спадання імпульсу
260нс
Кількість каналів
2
Властивості інтегральних мікросхем
integrated bootstrap functionality
Властивості інтегральних мікросхем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів MOSFET
Топологія
півмісток MOSFET
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g