0 0 0
  7. LM5101M/NOPB

Драйверы MOSFET/IGBT LM5101M/NOPB

 
LM5101M/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 102801
IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -1,8÷1,6А; Ch: 2; 9÷14ВDC; 100В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
353.37 грн
4+
285.69 грн
10+
269.95 грн
95+
259.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 6 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
9...14В DC(1493013)
Вихідний струм
-1,8...1,6А(1802874)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
600нс(1802875)
Час спадання імпульсу
600нс(1802876)
Кількість каналів
2(1443907)
Вид упаковки
туба(1443467)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів MOSFET(1623576)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559)
клас напруги
100В(1711088)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,08 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT LM5101M/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 102801
IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -1,8÷1,6А; Ch: 2; 9÷14ВDC; 100В
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
353.37 грн
4+
285.69 грн
10+
269.95 грн
95+
259.72 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 6 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
9...14В DC
Вихідний струм
-1,8...1,6А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
600нс
Час спадання імпульсу
600нс
Кількість каналів
2
Вид упаковки
туба
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів MOSFET
Топологія
півмісток MOSFET
клас напруги
100В
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,08 g