0 0 0
  7. LM5108DRCT

Драйвери MOSFET/IGBT LM5108DRCT

 
LM5108DRCT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 471207
IC: driver; high-/low-side,контролер затворів MOSFET; VSON10
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
144.23 грн
3+
129.88 грн
10+
99.60 грн
28+
94.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
VSON10(1699658)
Напруга живлення
5,5...16В DC(1460479)
Вихідний струм
-2,6...1,6А(1846127)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
11нс(1817572)
Час спадання імпульсу
8нс(1837567)
Кількість каналів
2(1443907)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів MOSFET(1623576)
клас напруги
100В(1711088)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT LM5108DRCT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 471207
IC: driver; high-/low-side,контролер затворів MOSFET; VSON10
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
144.23 грн
3+
129.88 грн
10+
99.60 грн
28+
94.03 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
VSON10
Напруга живлення
5,5...16В DC
Вихідний струм
-2,6...1,6А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
11нс
Час спадання імпульсу
8нс
Кількість каналів
2
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів MOSFET
клас напруги
100В
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g