0 0 0
  7. LM5110-2M/NOPB

Драйвери MOSFET/IGBT LM5110-2M/NOPB

 
LM5110-2M/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 471223
IC: driver; low-side,контролер затворів MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
131.43 грн
3+
118.69 грн
10+
105.15 грн
11+
91.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
3,5...14В DC(1493014)
Вихідний струм
-5...3А(1802877)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
25нс(1444009)
Час спадання імпульсу
25нс(1444010)
Кількість каналів
2(1443907)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
low-side(1605680) контролер затворів MOSFET(1623576)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,078 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT LM5110-2M/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 471223
IC: driver; low-side,контролер затворів MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
131.43 грн
3+
118.69 грн
10+
105.15 грн
11+
91.60 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 10 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
3,5...14В DC
Вихідний струм
-5...3А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
25нс
Час спадання імпульсу
25нс
Кількість каналів
2
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
low-side
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів MOSFET
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,078 g