0 0 0
  7. LM5111-1M/NOPB

Драйвери MOSFET/IGBT LM5111-1M/NOPB

 
LM5111-1M/NOPB
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 472989
IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2; 3,5÷14ВDC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
220.72 грн
5+
203.99 грн
7+
156.98 грн
18+
148.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 91 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
3,5...14В DC(1493014)
Вихідний струм
-5...3А(1802877)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
25нс(1444009)
Час спадання імпульсу
25нс(1444010)
Кількість каналів
2(1443907)
Вид виходу
що не інвертує(1722585)
Вид упаковки
туба(1443467)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
low-side(1605680) контролер затворів MOSFET(1623576)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,078 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT LM5111-1M/NOPB
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 472989
IC: driver; півмісток MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2; 3,5÷14ВDC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
220.72 грн
5+
203.99 грн
7+
156.98 грн
18+
148.21 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 91 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
3,5...14В DC
Вихідний струм
-5...3А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
25нс
Час спадання імпульсу
25нс
Кількість каналів
2
Вид виходу
що не інвертує
Вид упаковки
туба
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
low-side
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів MOSFET
Топологія
півмісток MOSFET
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,078 g