0 0 0
  7. TPS28225DRBR

Драйвери MOSFET/IGBT TPS28225DRBR

 
TPS28225DRBR
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855974
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.82 грн
5+
101.70 грн
13+
81.04 грн
34+
77.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SON8(1692641)
Напруга живлення
4,5...8В DC(1503522)
Вихідний струм
6А(1444027)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
10нс(1444020)
Час спадання імпульсу
10нс(1444021)
Кількість каналів
2(1443907)
Вид виходу
що інвертує(1722583) що не інвертує(1722585)
Властивості інтегральних мікросхем
мертвий час(1600602) integrated bootstrap functionality(1619534) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів(1617856)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT TPS28225DRBR
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855974
IC: driver; півмісток MOSFET; high-/low-side,контролер затворів
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
112.82 грн
5+
101.70 грн
13+
81.04 грн
34+
77.07 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SON8
Напруга живлення
4,5...8В DC
Вихідний струм
6А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
10нс
Час спадання імпульсу
10нс
Кількість каналів
2
Вид виходу
що інвертує
Вид виходу
що не інвертує
Властивості інтегральних мікросхем
мертвий час
Властивості інтегральних мікросхем
integrated bootstrap functionality
Властивості інтегральних мікросхем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів
Топологія
півмісток MOSFET
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g