0 0 0
  7. TPS28226DRBR

Драйвери MOSFET/IGBT TPS28226DRBR

 
TPS28226DRBR
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855965
IC: driver; півмісток MOSFET; контролер затворів MOSFET; SON8; 2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.52 грн
5+
88.99 грн
14+
70.71 грн
39+
66.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SON8(1692641)
Вихідний струм
2А(1443462)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
10нс(1444020)
Час спадання імпульсу
10нс(1444021)
Властивості інтегральних мікросхем
мертвий час(1600602) integrated bootstrap functionality(1619534) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Захист
зростання напруги(1600603)
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів MOSFET(1623576)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT TPS28226DRBR
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855965
IC: driver; півмісток MOSFET; контролер затворів MOSFET; SON8; 2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
98.52 грн
5+
88.99 грн
14+
70.71 грн
39+
66.74 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...125°C
Корпус
SON8
Вихідний струм
2А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
10нс
Час спадання імпульсу
10нс
Властивості інтегральних мікросхем
мертвий час
Властивості інтегральних мікросхем
integrated bootstrap functionality
Властивості інтегральних мікросхем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Захист
зростання напруги
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів MOSFET
Топологія
півмісток MOSFET
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g