0 0 0
  7. UCC27200ADR

Драйвери MOSFET/IGBT UCC27200ADR

 
UCC27200ADR
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855999
IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO8; 3А; Ch: 2; 8÷17ВDC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
143.41 грн
5+
129.07 грн
10+
101.98 грн
27+
96.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Робоча температура
-40...140°C(1820038)
Корпус
SO8(1441256)
Напруга живлення
8...17В DC(1836686)
Вихідний струм
3А(1443463)
Тип інтегральної мікросхеми
driver(1443705)
Час наростання імпульсу
600нс(1802875)
Час спадання імпульсу
600нс(1802876)
Кількість каналів
2(1443907)
Властивості інтегральних мікросхем
integrated bootstrap functionality(1619534) UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs(1812457)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид об'єднаної схеми
current sense(1503921) контролер затворів MOSFET(1623576)
Топологія
місток H(1612556) півмісток MOSFET(1612559)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Драйвери MOSFET/IGBT UCC27200ADR
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 855999
IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO8; 3А; Ch: 2; 8÷17ВDC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
143.41 грн
5+
129.07 грн
10+
101.98 грн
27+
96.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Робоча температура
-40...140°C
Корпус
SO8
Напруга живлення
8...17В DC
Вихідний струм
3А
Тип інтегральної мікросхеми
driver
Час наростання імпульсу
600нс
Час спадання імпульсу
600нс
Кількість каналів
2
Властивості інтегральних мікросхем
integrated bootstrap functionality
Властивості інтегральних мікросхем
UVLO (Under Voltage Lock Out) for both high-side and low-side outputs
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид об'єднаної схеми
current sense
Вид об'єднаної схеми
контролер затворів MOSFET
Топологія
місток H
Топологія
півмісток MOSFET
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g