0 0 0
  8. XP151A13A0MR-G

Транзистори з каналом N SMD XP151A13A0MR-G

 
XP151A13A0MR-G
 
TOREX
Артикул: 543635
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.74 грн
25+
34.78 грн
59+
17.00 грн
160+
16.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1А(1441586)
Опір в стані провідності
0,25Ом(1459322)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
4А(1709876)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD XP151A13A0MR-G
TOREX
Артикул: 543635
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1А; Idm: 4А; 0,5Вт; SOT23-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
58.74 грн
25+
34.78 грн
59+
17.00 грн
160+
16.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1А
Опір в стані провідності
0,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g