Транзисторы с каналом P SMD XP162A11C0PR-G

 
XP162A11C0PR-G
 
Артикул: 622823
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.38 грн
25+
33.53 грн
43+
23.04 грн
118+
21.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT89-3(1443543)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-2,5А(1492293)
Опір в стані провідності
0,28Ом(1492340)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
2Вт(1507429)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-10А(1788019)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD XP162A11C0PR-G
TOREX
Артикул: 622823
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -10А; 2Вт; SOT89-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
60.38 грн
25+
33.53 грн
43+
23.04 грн
118+
21.77 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT89-3
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-2,5А
Опір в стані провідності
0,28Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g