0 0 0
  8. XP222P0801TR-G

Транзистори з каналом P SMD XP222P0801TR-G

 
XP222P0801TR-G
 
TOREX
Артикул: 622838
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,8А; Idm: -1,6А; 0,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.22 грн
30+
5.29 грн
100+
4.70 грн
250+
3.97 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-800мА(1536857)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-1,6А(1810528)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD XP222P0801TR-G
TOREX
Артикул: 622838
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,8А; Idm: -1,6А; 0,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.22 грн
30+
5.29 грн
100+
4.70 грн
250+
3.97 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-800мА
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-1,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g