0 0 0
  8. XP223N1001TR-G

Транзистори з каналом N SMD XP223N1001TR-G

 
XP223N1001TR-G
 
TOREX
Артикул: 543641
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.23 грн
30+
5.11 грн
100+
4.51 грн
255+
3.94 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1А(1441586)
Опір в стані провідності
10Ом(1441657)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2А(1709875)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD XP223N1001TR-G
TOREX
Артикул: 543641
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.23 грн
30+
5.11 грн
100+
4.51 грн
255+
3.94 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1А
Опір в стані провідності
10Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g