0 0 0
  8. XP231P0201TR-G

Транзистори з каналом P SMD XP231P0201TR-G

 
XP231P0201TR-G
 
TOREX
Артикул: 622825
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,2А; Idm: -0,4А; 0,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.13 грн
30+
4.04 грн
100+
3.21 грн
360+
2.72 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-200мА(1536866)
Опір в стані провідності
8Ом(1441548)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-0,4А(1709890)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD XP231P0201TR-G
TOREX
Артикул: 622825
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,2А; Idm: -0,4А; 0,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.13 грн
30+
4.04 грн
100+
3.21 грн
360+
2.72 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-200мА
Опір в стані провідності
8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-0,4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g