0 0 0
  8. XP263N1001TR-G

Транзистори з каналом N SMD XP263N1001TR-G

 
XP263N1001TR-G
 
TOREX
Артикул: 543647
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.27 грн
25+
9.88 грн
100+
7.81 грн
150+
6.61 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOREX(435)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
1А(1441586)
Опір в стані провідності
0,33Ом(1645025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2А(1709875)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD XP263N1001TR-G
TOREX
Артикул: 543647
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1А; Idm: 2А; 0,4Вт; SOT23-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.27 грн
25+
9.88 грн
100+
7.81 грн
150+
6.61 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOREX
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
1А
Опір в стані провідності
0,33Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g