Транзистори з каналом P SMD 2SJ668(TE16L1,NQ)

 
2SJ668(TE16L1,NQ)
 
Артикул: 140398
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5А; 20Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
27.52 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-5А(1492225)
Опір в стані провідності
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
20Вт(1618043)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15нКл(1479067)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD 2SJ668(TE16L1,NQ)
TOSHIBA
Артикул: 140398
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5А; 20Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
2000+
27.52 грн
Мін. замовлення: 2000
Кратність: 2000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-5А
Опір в стані провідності
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
20Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
15нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g