Транзистори з каналом N SMD 2SK3075(TE12L,Q)

 
2SK3075(TE12L,Q)
 
Артикул: 075100
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 30В; 5А; 20Вт; TO271AA; SMT; 50%
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
986.85 грн
2+
793.05 грн
4+
749.64 грн
25+
735.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
TOSHIBA(56)
Корпус
TO271AA(1548169)
Частота
520МГц(1645096)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
(1441380)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Підсилення
11,7дБ(1645095)
Вихідна потужність
7,5Вт(1536518)
Потужність розсіювання
20Вт(1618043)
ККД
50%(1819559)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488)
Електричний монтаж
SMT(1443394)
Вид транзистора
RF(1645036)
Вид каналу
збіднений(1536799)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 9,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD 2SK3075(TE12L,Q)
TOSHIBA
Артикул: 075100
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 30В; 5А; 20Вт; TO271AA; SMT; 50%
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
986.85 грн
2+
793.05 грн
4+
749.64 грн
25+
735.68 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Корпус
TO271AA
Частота
520МГц
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
Тип транзистора
N-MOSFET
Підсилення
11,7дБ
Вихідна потужність
7,5Вт
Потужність розсіювання
20Вт
ККД
50%
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Електричний монтаж
SMT
Вид транзистора
RF
Вид каналу
збіднений
Додаткова інформація: Маса брутто: 9,1 g