0 0 0
  8. 2SK3475(TE12L,F)

Транзистори з каналом N SMD 2SK3475(TE12L,F)

 
2SK3475(TE12L,F)
 
TOSHIBA
Артикул: 075101
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; Pвих: 630мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
147.92 грн
5+
133.13 грн
8+
128.46 грн
21+
121.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 100 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Корпус
SOT89(1440883)
Частота
520МГц(1645096)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1А(1441586)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Підсилення
14,9дБ(1711570)
Вихідна потужність
630мВт(1711569)
Потужність розсіювання
3Вт(1487308)
ККД
45%(1820752)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Електричний монтаж
SMT(1443394)
Вид транзистора
RF(1645036)
Вид каналу
збіднений(1536799)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,085 g
 
Транзистори з каналом N SMD 2SK3475(TE12L,F)
TOSHIBA
Артикул: 075101
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 20В; 1А; 3Вт; SOT89; Pвих: 630мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
147.92 грн
5+
133.13 грн
8+
128.46 грн
21+
121.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 100 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Корпус
SOT89
Частота
520МГц
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1А
Тип транзистора
N-MOSFET
Підсилення
14,9дБ
Вихідна потужність
630мВт
Потужність розсіювання
3Вт
ККД
45%
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Електричний монтаж
SMT
Вид транзистора
RF
Вид каналу
збіднений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,085 g