0 0 0
  7. DF10G5M4N,LF(D

Запобіжні діоди - складки DF10G5M4N,LF(D

 
DF10G5M4N,LF(D
 
TOSHIBA
Артикул: 055433
Діод: TVS збірка; 5В; 2А; 30Вт; двоспрямована; DFN10; Ch: 4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.25 грн
25+
11.76 грн
100+
10.36 грн
109+
9.03 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN10(1444000)
Зворотна напруга макс.
3,6В(1611209)
Структура напівпровідника
двоспрямована(1440419)
Струм в імпульсі макс.
2А(1501404)
Напруга пробою
5В(1501532)
Струм витоку
0,1мкА(1615249)
Кількість каналів
4(1443902)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Тип діода
transil збірка(1501444)
Властивості напівпровідникових елементів
захисна ESD(1639296)
Peak pulse power dissipation
30Вт(1911825)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Запобіжні діоди - складки DF10G5M4N,LF(D
TOSHIBA
Артикул: 055433
Діод: TVS збірка; 5В; 2А; 30Вт; двоспрямована; DFN10; Ch: 4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
21.25 грн
25+
11.76 грн
100+
10.36 грн
109+
9.03 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
DFN10
Зворотна напруга макс.
3,6В
Структура напівпровідника
двоспрямована
Струм в імпульсі макс.
2А
Напруга пробою
5В
Струм витоку
0,1мкА
Кількість каналів
4
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Тип діода
transil збірка
Властивості напівпровідникових елементів
захисна ESD
Peak pulse power dissipation
30Вт
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g