0 0 0
  8. GT40QR21(STA1,E,D

Транзистори IGBT THT GT40QR21(STA1,E,D

 
GT40QR21(STA1,E,D
 
TOSHIBA
Артикул: 627468
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
274.65 грн
5+
246.87 грн
6+
189.72 грн
15+
179.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 484 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±25В(1628598)
Струм колектора
35А(1500592)
Струм колектора в імпульсі
80А(1441679)
Час ввімкнення
0,3мкс(1524286)
Час вимкнення
0,6мкс(1587345)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
230Вт(1701908)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,905 g
 
Транзистори IGBT THT GT40QR21(STA1,E,D
TOSHIBA
Артикул: 627468
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
274.65 грн
5+
246.87 грн
6+
189.72 грн
15+
179.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 484 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±25В
Струм колектора
35А
Струм колектора в імпульсі
80А
Час ввімкнення
0,3мкс
Час вимкнення
0,6мкс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
230Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,905 g