0 0 0
  8. GT40WR21,Q(O

Транзистори IGBT THT GT40WR21,Q(O

 
GT40WR21,Q(O
 
TOSHIBA
Артикул: 627465
Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
925.76 грн
2+
702.51 грн
4+
664.27 грн
100+
658.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 90 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3PN(1441460)
Напруги колектор-емітер
1,8кВ(1776562)
Напруга затвор - емітер
±25В(1628598)
Струм колектора
40А(1440987)
Струм колектора в імпульсі
80А(1441679)
Час ввімкнення
950нс(1931994)
Час вимкнення
570нс(1606141)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,995 g
 
Транзистори IGBT THT GT40WR21,Q(O
TOSHIBA
Артикул: 627465
Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
925.76 грн
2+
702.51 грн
4+
664.27 грн
100+
658.02 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 90 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
THT
Корпус
TO3PN
Напруги колектор-емітер
1,8кВ
Напруга затвор - емітер
±25В
Струм колектора
40А
Струм колектора в імпульсі
80А
Час ввімкнення
950нс
Час вимкнення
570нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
375Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Додаткова інформація: Маса брутто: 4,995 g