0 0 0
  8. SSM3J327R,LF(B

Транзистори з каналом P SMD SSM3J327R,LF(B

 
SSM3J327R,LF(B
 
TOSHIBA
Артикул: 140966
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.80 грн
25+
6.45 грн
100+
5.74 грн
200+
4.97 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-3,9А(1492318)
Опір в стані провідності
0,24Ом(1492482)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,6нКл(1609769)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g
 
Транзистори з каналом P SMD SSM3J327R,LF(B
TOSHIBA
Артикул: 140966
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,9А; 1Вт; SOT23F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.80 грн
25+
6.45 грн
100+
5.74 грн
200+
4.97 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-3,9А
Опір в стані провідності
0,24Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
4,6нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,024 g