0 0 0
  8. SSM3J328R,LF(T

Транзистори з каналом P SMD SSM3J328R,LF(T

 
SSM3J328R,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 140967
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
8.45 грн
100+
7.44 грн
145+
6.74 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3635 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-6А(1492315)
Опір в стані провідності
88,4мОм(1744082)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
12,8нКл(1609892)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g
 
Транзистори з каналом P SMD SSM3J328R,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 140967
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -6А; 1Вт; SOT23F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
8.45 грн
100+
7.44 грн
145+
6.74 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3635 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-6А
Опір в стані провідності
88,4мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
12,8нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g