0 0 0
  8. SSM3J334R,LF(T

Транзистори з каналом P SMD SSM3J334R,LF(T

 
SSM3J334R,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 140969
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
9.15 грн
100+
8.14 грн
130+
7.60 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2325 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напруга сток-джерело
-30В(1478951)
Струм стока
-4А(1492238)
Опір в стані провідності
136мОм(1636392)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
5,9нКл(1633315)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g
 
Транзистори з каналом P SMD SSM3J334R,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 140969
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1Вт; SOT23F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
9.15 грн
100+
8.14 грн
130+
7.60 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2325 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напруга сток-джерело
-30В
Струм стока
-4А
Опір в стані провідності
136мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
5,9нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g