0 0 0
  8. SSM3K329R,LF(B

Транзистори з каналом N SMD SSM3K329R,LF(B

 
SSM3K329R,LF(B
 
TOSHIBA
Артикул: 077444
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; 1Вт; SOT23F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
8.99 грн
100+
7.99 грн
145+
6.90 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23F(1622345)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
3,5А(1441257)
Опір в стані провідності
289мОм(1744085)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,5нКл(1632943)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g
 
Транзистори з каналом N SMD SSM3K329R,LF(B
TOSHIBA
Артикул: 077444
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; 1Вт; SOT23F
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
8.99 грн
100+
7.99 грн
145+
6.90 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23F
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
3,5А
Опір в стані провідності
289мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,5нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g