0 0 0
  8. SSM6J501NU,LF

Транзистори з каналом P SMD SSM6J501NU,LF

 
SSM6J501NU,LF
 
TOSHIBA
Артикул: 140971
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -10А; Idm: -30А; 1Вт; uDFN6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
23.42 грн
25+
21.08 грн
62+
16.16 грн
170+
15.28 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
uDFN6(1707125)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-10А(1479026)
Опір в стані провідності
43мОм(1479149)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
29,9нКл(1707126)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-30А(1811033)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g
 
Транзистори з каналом P SMD SSM6J501NU,LF
TOSHIBA
Артикул: 140971
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -10А; Idm: -30А; 1Вт; uDFN6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
23.42 грн
25+
21.08 грн
62+
16.16 грн
170+
15.28 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
uDFN6
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-10А
Опір в стані провідності
43мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
29,9нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g