0 0 0
  8. SSM6J511NU,LF(T

Транзистори з каналом P SMD SSM6J511NU,LF(T

 
SSM6J511NU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 140974
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 1,25Вт; uDFN6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.28 грн
25+
15.14 грн
86+
11.71 грн
235+
11.08 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
uDFN6(1707125)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-14А(1478996)
Опір в стані провідності
19,2мОм(1744089)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,25Вт(1702038)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
47нКл(1610022)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом P SMD SSM6J511NU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 140974
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -14А; 1,25Вт; uDFN6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.28 грн
25+
15.14 грн
86+
11.71 грн
235+
11.08 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
uDFN6
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-14А
Опір в стані провідності
19,2мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
47нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g