0 0 0
  7. SSM6N35FE,LM(T

Транзистори багатоканальні SSM6N35FE,LM(T

 
SSM6N35FE,LM(T
 
TOSHIBA
Артикул: 000331
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
10.95 грн
25+
6.86 грн
100+
6.09 грн
185+
5.25 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,18А(1645013)
Опір в стані провідності
20Ом(1459375)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні SSM6N35FE,LM(T
TOSHIBA
Артикул: 000331
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,18А; 150мВт; SOT563
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
10.95 грн
25+
6.86 грн
100+
6.09 грн
185+
5.25 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,18А
Опір в стані провідності
20Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g