0 0 0
  7. SSM6N7002CFU,LF(T

Транзистори багатоканальні SSM6N7002CFU,LF(T

 
SSM6N7002CFU,LF(T
 
TOSHIBA
Артикул: 000333
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.50 грн
50+
3.29 грн
250+
2.90 грн
385+
2.51 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC88(1492436)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,17А(1644068)
Опір в стані провідності
4,7Ом(1633248)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
285мВт(1744090)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,27нКл(1744088)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g
 
Транзистори багатоканальні SSM6N7002CFU,LF(T
TOSHIBA
Артикул: 000333
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,17А; 285мВт; SC88
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.50 грн
50+
3.29 грн
250+
2.90 грн
385+
2.51 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
SC88
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,17А
Опір в стані провідності
4,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
285мВт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,27нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g