0 0 0
  8. TJ60S06M3L(T6L1,NQ

Транзистори з каналом P SMD TJ60S06M3L(T6L1,NQ

 
TJ60S06M3L(T6L1,NQ
 
TOSHIBA
Артикул: 622850
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
96.80 грн
5+
86.48 грн
14+
73.00 грн
38+
69.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напруга сток-джерело
-60В(1492224)
Струм стока
-60А(1693696)
Опір в стані провідності
14,5мОм(1479399)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
100Вт(1701916)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
156нКл(1479373)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
-120А(1758559)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,33 g
 
Транзистори з каналом P SMD TJ60S06M3L(T6L1,NQ
TOSHIBA
Артикул: 622850
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
96.80 грн
5+
86.48 грн
14+
73.00 грн
38+
69.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напруга сток-джерело
-60В
Струм стока
-60А
Опір в стані провідності
14,5мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
100Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
156нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
-120А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,33 g