0 0 0
  8. TK65E10N1,S1X(S

Транзистори з каналом N THT TK65E10N1,S1X(S

 
TK65E10N1,S1X(S
 
TOSHIBA
Артикул: 415292
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
107.41 грн
3+
97.14 грн
10+
85.29 грн
14+
74.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
TOSHIBA(56)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
148А(1744094)
Опір в стані провідності
4мОм(1479261)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
192Вт(1740762)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
81нКл(1479445)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
296А(1790425)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT TK65E10N1,S1X(S
TOSHIBA
Артикул: 415292
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 148А; Idm: 296А; 192Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
107.41 грн
3+
97.14 грн
10+
85.29 грн
14+
74.24 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
TOSHIBA
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
148А
Опір в стані провідності
4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
192Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
81нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
296А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g