Транзистори з каналом N SMD 2N7002K-T1-E3

 
2N7002K-T1-E3
 
Артикул: 075076
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,19А; Idm: 0,8А; 0,14Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
14.82 грн
10+
9.83 грн
25+
5.93 грн
100+
4.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4859 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,19А(1702146)
Опір в стані провідності
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,14Вт(1741772)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,4нКл(1632941)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,022 g
 
Транзистори з каналом N SMD 2N7002K-T1-E3
VISHAY
Артикул: 075076
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,19А; Idm: 0,8А; 0,14Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
14.82 грн
10+
9.83 грн
25+
5.93 грн
100+
4.45 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4859 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,19А
Опір в стані провідності
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,14Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,022 g