0 0 0
  8. IRF840APBF

Транзистори з каналом N THT IRF840APBF

 
IRF840APBF
 
VISHAY
Артикул: 405776
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.56 грн
10+
115.61 грн
17+
59.77 грн
46+
56.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 858 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
5,1А(1479146)
Опір в стані провідності
0,85Ом(1459319)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
38нКл(1479182)
Товщина радіатора
1,14...1,4мм(1443476)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
32А(1789198)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,957 g
 
Транзистори з каналом N THT IRF840APBF
VISHAY
Артикул: 405776
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт; TO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
141.56 грн
10+
115.61 грн
17+
59.77 грн
46+
56.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 858 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
5,1А
Опір в стані провідності
0,85Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
38нКл
Товщина радіатора
1,14...1,4мм
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
32А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1,957 g