0 0 0
  8. IRFBE30LPBF

Транзистори з каналом N THT IRFBE30LPBF

 
IRFBE30LPBF
 
VISHAY
Артикул: 853980
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,1А; Idm: 16А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
151.53 грн
9+
110.86 грн
25+
104.48 грн
1000+
100.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO262(1478942) I2PAK(1600260)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
4,1А(1441393)
Опір в стані провідності
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
125Вт(1701920)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
78нКл(1609951)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
16А(1741678)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT IRFBE30LPBF
VISHAY
Артикул: 853980
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,1А; Idm: 16А; 125Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
151.53 грн
9+
110.86 грн
25+
104.48 грн
1000+
100.49 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO262
Корпус
I2PAK
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
4,1А
Опір в стані провідності
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
125Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
78нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
16А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g