0 0 0
  8. IRFD110PBF

Транзистори з каналом N THT IRFD110PBF

 
IRFD110PBF
 
VISHAY
Артикул: 966297
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,71А; 1,3Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
33.85 грн
25+
30.51 грн
41+
24.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3314 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
DIP4(1444643)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
0,71А(1643331)
Опір в стані провідності
0,54Ом(1635011)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
8,3нКл(1479225)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,316 g
 
Транзистори з каналом N THT IRFD110PBF
VISHAY
Артикул: 966297
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,71А; 1,3Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.41 грн
5+
33.85 грн
25+
30.51 грн
41+
24.35 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3314 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
DIP4
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
0,71А
Опір в стані провідності
0,54Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
8,3нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,316 g