Транзистори з каналом N THT IRFD113PBF

 
IRFD113PBF
 
Артикул: 853984
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 800мА; Idm: 6,4А; 1Вт; HVMDIP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.82 грн
5+
35.25 грн
25+
31.10 грн
35+
28.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
HVMDIP(1737418)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,8А(1635013)
Опір в стані провідності
0,8Ом(1459305)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
7нКл(1479104)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
(1942255)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,3 g
 
Транзистори з каналом N THT IRFD113PBF
VISHAY
Артикул: 853984
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 800мА; Idm: 6,4А; 1Вт; HVMDIP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
59.82 грн
5+
35.25 грн
25+
31.10 грн
35+
28.71 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
HVMDIP
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,8А
Опір в стані провідності
0,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,3 g