Транзистори з каналом N THT IRFD123PBF

 
IRFD123PBF
 
Артикул: 853972
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,3А; Idm: 10А; 1,3Вт; HVMDIP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.41 грн
5+
42.91 грн
25+
37.88 грн
29+
34.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
HVMDIP(1737418)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
1,3А(1492332)
Опір в стані провідності
0,27Ом(1596293)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
16нКл(1479019)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,3 g
 
Транзистори з каналом N THT IRFD123PBF
VISHAY
Артикул: 853972
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,3А; Idm: 10А; 1,3Вт; HVMDIP
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
61.41 грн
5+
42.91 грн
25+
37.88 грн
29+
34.85 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
HVMDIP
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
1,3А
Опір в стані провідності
0,27Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
16нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,3 g