0 0 0
  8. IRFD210PBF

Транзистори з каналом N THT IRFD210PBF

 
IRFD210PBF
 
VISHAY
Артикул: 078789
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,38А; 1Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
35.60 грн
25+
31.92 грн
40+
25.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 342 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
DIP4(1444643)
Напруга сток-джерело
200В(1441311)
Струм стока
0,38А(1643333)
Опір в стані провідності
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
8,2нКл(1610008)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,31 g
 
Транзистори з каналом N THT IRFD210PBF
VISHAY
Артикул: 078789
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,38А; 1Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.20 грн
5+
35.60 грн
25+
31.92 грн
40+
25.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 342 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
DIP4
Напруга сток-джерело
200В
Струм стока
0,38А
Опір в стані провідності
1,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
8,2нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,31 g