Транзисторы с каналом P THT IRFD9110PBF

 
IRFD9110PBF
 
Артикул: 141105
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,49А; 1,3Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.11 грн
5+
37.15 грн
25+
34.00 грн
34+
30.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 338 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
DIP4(1444643)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-0,49А(1643354)
Опір в стані провідності
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
8,7нКл(1479416)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,308 g
 
Транзисторы с каналом P THT IRFD9110PBF
VISHAY
Артикул: 141105
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,49А; 1,3Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
66.11 грн
5+
37.15 грн
25+
34.00 грн
34+
30.14 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 338 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
DIP4
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-0,49А
Опір в стані провідності
1,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
8,7нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,308 g