Транзистори з каналом P THT IRFD9210PBF

 
IRFD9210PBF
 
Артикул: 141107
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -0,25А; 1Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
43.02 грн
25+
38.66 грн
35+
29.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2204 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
DIP4(1444643)
Напруга сток-джерело
-200В(1441458)
Струм стока
-0,25А(1643355)
Опір в стані провідності
3Ом(1441400)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
8,9нКл(1479156)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,307 g
 
Транзистори з каналом P THT IRFD9210PBF
VISHAY
Артикул: 141107
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -0,25А; 1Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
67.47 грн
5+
43.02 грн
25+
38.66 грн
35+
29.65 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2204 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
DIP4
Напруга сток-джерело
-200В
Струм стока
-0,25А
Опір в стані провідності
3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
8,9нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,307 g