Транзистори з каналом N SMD IRFR430APBF

 
IRFR430APBF
 
Артикул: 076779
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,2А; 110Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
40.28 грн
25+
38.14 грн
34+
30.19 грн
92+
28.60 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1278 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836) TO252(1441587)
Напруга сток-джерело
500В(1441382)
Струм стока
3,2А(1492373)
Опір в стані провідності
1,7Ом(1502513)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
110Вт(1701955)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
24нКл(1479143)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,377 g
 
Транзистори з каналом N SMD IRFR430APBF
VISHAY
Артикул: 076779
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3,2А; 110Вт; DPAK,TO252
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
40.28 грн
25+
38.14 грн
34+
30.19 грн
92+
28.60 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1278 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Корпус
TO252
Напруга сток-джерело
500В
Струм стока
3,2А
Опір в стані провідності
1,7Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
110Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
24нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,377 g