0 0 0
  8. IRFSL9N60APBF

Транзистори з каналом N THT IRFSL9N60APBF

 
IRFSL9N60APBF
 
VISHAY
Артикул: 853979
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,2А; Idm: 37А; 170Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
167.48 грн
8+
122.82 грн
22+
116.44 грн
1000+
111.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO262(1478942) I2PAK(1600260)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
9,2А(1479191)
Опір в стані провідності
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
170Вт(1740761)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
49нКл(1479032)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
37А(1789196)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT IRFSL9N60APBF
VISHAY
Артикул: 853979
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,2А; Idm: 37А; 170Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
167.48 грн
8+
122.82 грн
22+
116.44 грн
1000+
111.66 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
TO262
Корпус
I2PAK
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
9,2А
Опір в стані провідності
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
170Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
49нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
37А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g