Транзистори з каналом N THT IRLD120PBF

 
IRLD120PBF
 
Артикул: 079007
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,94А; 1,3Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
63.56 грн
5+
35.91 грн
25+
32.34 грн
33+
30.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 553 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
DIP4(1444643)
Напруга сток-джерело
100В(1441364)
Струм стока
0,94А(1643332)
Опір в стані провідності
0,38Ом(1638675)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,3Вт(1449369)
Поляризація
польовий(1441242)
Заряд затвора
12нКл(1479115)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,283 g
 
Транзистори з каналом N THT IRLD120PBF
VISHAY
Артикул: 079007
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,94А; 1,3Вт; DIP4
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
63.56 грн
5+
35.91 грн
25+
32.34 грн
33+
30.19 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 553 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
THT
Корпус
DIP4
Напруга сток-джерело
100В
Струм стока
0,94А
Опір в стані провідності
0,38Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,3Вт
Поляризація
польовий
Заряд затвора
12нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,283 g