0 0 0
  8. SI1012CR-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI1012CR-T1-GE3

 
SI1012CR-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 405693
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
10.54 грн
100+
9.34 грн
120+
8.39 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 590 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC75A(1492398)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,63А(1638659)
Опір в стані провідності
396мОм(1790166)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,15Вт(1701904)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2нКл(1609793)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2А(1709875)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI1012CR-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 405693
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,63А; Idm: 2А; 0,15Вт; SC75A
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
10.54 грн
100+
9.34 грн
120+
8.39 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 590 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC75A
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,63А
Опір в стані провідності
396мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,15Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g