0 0 0
  7. SI1016CX-T1-GE3

Транзисторы многоканальные SI1016CX-T1-GE3

 
SI1016CX-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 983551
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; додаткова пара
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.48 грн
10+
25.26 грн
25+
20.15 грн
96+
10.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2500 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494) SC89(1492549)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
0,49/-0,49А(1996890)
Опір в стані провідності
396/756мОм(1811014)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,14Вт(1741772)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2/2,5нКл(1811015)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2А(1709875)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы многоканальные SI1016CX-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 983551
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; додаткова пара
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.48 грн
10+
25.26 грн
25+
20.15 грн
96+
10.39 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2500 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Корпус
SC89
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
0,49/-0,49А
Опір в стані провідності
396/756мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,14Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
2/2,5нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g