0 0 0
  8. SI1024X-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI1024X-T1-GE3

 
SI1024X-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959648
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 515мА; 280мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
36.47 грн
10+
32.27 грн
25+
24.82 грн
63+
15.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494) SC89(1492549)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
515мА(1985948)
Опір в стані провідності
1,25Ом(1441390)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,28Вт(1742034)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,75нКл(1737207)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,65А(1811171)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI1024X-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959648
Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; 20В; 515мА; 280мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
36.47 грн
10+
32.27 грн
25+
24.82 грн
63+
15.70 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Корпус
SC89
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
515мА
Опір в стані провідності
1,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,28Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,75нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,65А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g