0 0 0
  8. SI1062X-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI1062X-T1-GE3

 
SI1062X-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853869
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 530мА; Idm: 2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
10.38 грн
25+
7.27 грн
100+
6.55 грн
190+
5.35 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 5900 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494) SC89(1492549)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,53А(1643338)
Опір в стані провідності
762мОм(1986204)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,22Вт(1742027)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
2,7нКл(1619510)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
2А(1709875)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI1062X-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853869
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 530мА; Idm: 2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
10.38 грн
25+
7.27 грн
100+
6.55 грн
190+
5.35 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 5900 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Корпус
SC89
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,53А
Опір в стані провідності
762мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,22Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
2,7нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g