0 0 0
  8. SI1330EDL-T1-E3

Транзистори з каналом N SMD SI1330EDL-T1-E3

 
SI1330EDL-T1-E3
 
VISHAY
Артикул: 077369
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.42 грн
5+
27.34 грн
25+
24.16 грн
44+
22.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,19А(1702146)
Опір в стані провідності
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,18Вт(1741777)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,4нКл(1632941)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI1330EDL-T1-E3
VISHAY
Артикул: 077369
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,19А; 0,18Вт; SC70
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
56.42 грн
5+
27.34 грн
25+
24.16 грн
44+
22.82 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,19А
Опір в стані провідності
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,18Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
0,4нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g