0 0 0
  8. SI1442DH-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI1442DH-T1-GE3

 
SI1442DH-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 853718
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.15 грн
10+
21.25 грн
25+
14.53 грн
100+
9.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2986 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172)
Напруга сток-джерело
12В(1441274)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
30мОм(1441278)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
2,8Вт(1487293)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
33нКл(1479084)
Технологія
TrenchFET®(1811164)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
20А(1741666)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI1442DH-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 853718
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 4А; Idm: 20А; 2,8Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
31.15 грн
10+
21.25 грн
25+
14.53 грн
100+
9.43 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2986 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Напруга сток-джерело
12В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
30мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
2,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
33нКл
Технологія
TrenchFET®
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
20А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g