0 0 0
  8. SI1922EDH-T1-GE3

Транзистори з каналом N SMD SI1922EDH-T1-GE3

 
SI1922EDH-T1-GE3
 
VISHAY
Артикул: 959652
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26.96 грн
10+
24.18 грн
25+
19.19 грн
73+
13.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
VISHAY(36)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC70(1453575)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
1,3А(1492332)
Опір в стані провідності
198мОм(1811021)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,8Вт(1507583)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2,5нКл(1632945)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
4А(1709876)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD SI1922EDH-T1-GE3
VISHAY
Артикул: 959652
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 1,3А; Idm: 4А; 0,8Вт; SC70
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26.96 грн
10+
24.18 грн
25+
19.19 грн
73+
13.56 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
VISHAY
Монтаж
SMD
Корпус
SC70
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
1,3А
Опір в стані провідності
198мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,8Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
2,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
4А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g